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太陽(yáng)能電池-基本原理和測(cè)試方法

更新時(shí)間:2020-03-24點(diǎn)擊次數(shù):11530

目的

本報(bào)告是關(guān)于一系列燃料敏化太陽(yáng)能電池性能測(cè)試的一部分。主要討論了評(píng)價(jià)太陽(yáng)能電池性能所需的理論和各種類型的試驗(yàn)。這部分討論了太陽(yáng)能電池的基本原理,裝置和電化學(xué)基礎(chǔ)。另外,通過(guò)基本的電化學(xué)試驗(yàn)來(lái)表怔太陽(yáng)能電池。

介紹

化石燃料不足,逐漸升高的原油價(jià)格,對(duì)傳統(tǒng)能源(比如火力發(fā)電廠或者核電站)的抑制,可再生能源成為關(guān)注的焦點(diǎn)。水利發(fā)電,風(fēng)能,地?zé)崮芎蜕镔|(zhì)能都是典型的可再生能源。

另外一種重要的可再生能源是太陽(yáng)能。目前廣泛使用的是光伏和太陽(yáng)能集熱器。

此應(yīng)用報(bào)告中討論的燃料太陽(yáng)能電池屬于薄膜電池。又可被稱為燃料敏化太陽(yáng)能電池(DSC)或者以對(duì)發(fā)展新型電池作出貢獻(xiàn)的瑞士科學(xué)家Michael Grätzel 命名的Grätzel電池。

DSC的制造簡(jiǎn)單,成本較低,并且使用環(huán)境友好型材料。DSC能量轉(zhuǎn)換效率高(大約10-14%),即使在低日光下。

然而,其一個(gè)主要缺點(diǎn)就是液體電解質(zhì)對(duì)溫度較為敏感。因此,許多研究是為了提高電解液的性能和電池的穩(wěn)定性。

理論

DSC的設(shè)置


圖1是DSC的簡(jiǎn)化圖。

a simplified diagram of a dye solar cellFigure 1 –染料敏化太陽(yáng)能電池簡(jiǎn)化圖。詳細(xì)內(nèi)容見下文

DSC的陽(yáng)極是由覆有透明導(dǎo)電氧化物的玻璃板組成。常用的有銦錫氧化物和氟參雜氧化錫。薄膜覆有一層薄薄的TiO2。半導(dǎo)體由于其多孔性具有很大的比表面積。

陽(yáng)極浸泡于與TiO2結(jié)合在一起的染料溶液。染料又稱感光劑,大多數(shù)是釕絡(luò)合物或者有機(jī)金屬化合物。為了演示,也可用純果汁,如黑莓汁或者石榴汁。它們含有將光能轉(zhuǎn)化為電能的染料。

DSC的陰極是覆有Pt層的玻璃板,Pt起催化劑的作用。電解液是I-/I3-溶液。

兩個(gè)電極被壓在一起并密封,以防電池泄露。當(dāng)染料敏化太陽(yáng)能電池受到光照時(shí),外部會(huì)產(chǎn)生電流。

染料敏華太陽(yáng)能電池的原理

顧名思義,染料敏化太陽(yáng)能電池的機(jī)理是基于光電化學(xué)基礎(chǔ)上。 圖2描述了染料敏化太陽(yáng)能電池的能級(jí)圖。以下部分描述的都是相關(guān)的電化學(xué)過(guò)程。

energy diagram of a dye solar cell圖2 – 染料敏化太陽(yáng)能電池的能級(jí)圖。紅色標(biāo)記部分的單獨(dú)步驟會(huì)在下文中解釋。

步驟1:染料分子初處于基態(tài)(S)。陽(yáng)極半導(dǎo)體材料在這一能級(jí)下(價(jià)帶附近)沒(méi)有導(dǎo)電性。

當(dāng)光照射到電池時(shí),染料分子被激發(fā)至更高能級(jí)(S*),如式1所示。

light shines on the cell, dye molecules get excited from their ground state to aEq. 1

被激發(fā)的染料分子具有更高能量,能夠越過(guò)半導(dǎo)體的帶隙。

步驟2:激發(fā)態(tài)染料分子(S*)被氧化(如式2),產(chǎn)生的電子注入到半導(dǎo)體帶隙中

 

The excited dye molecule is oxidized Eq. 2

在這一能級(jí)半導(dǎo)體處于導(dǎo)電狀態(tài),電子可以自由移動(dòng)。然后電子通過(guò)擴(kuò)散轉(zhuǎn)移到陽(yáng)極的集流體中。

步驟3:氧化后的染料分子(S+)被電解液中氧化還原電對(duì)還原(如式3)。

oxidized dye moleculeEq. 3

步驟4:I-/I3-氧化還原電對(duì)在陰極重新生成。I3-被還原成I-。

Triiodide is reduced to iodide Eq. 4

重要的參數(shù)

光照射在太陽(yáng)能電池上時(shí)會(huì)產(chǎn)生電流。輸出電流的大小很大程度上取決于電池的電位,以及入射光的強(qiáng)度。

類似于標(biāo)準(zhǔn)循環(huán)伏安試驗(yàn),施加一定的電位,從初始電位掃描至終止電位,測(cè)量電池的電流。另外,具有恒定強(qiáng)度的光源聚焦在太陽(yáng)能電池上產(chǎn)生電力。

圖3顯示了太陽(yáng)能電池在逐漸增強(qiáng)光照下和沒(méi)有光照的典型IV曲線。

a typical I V curve of a solar cell for increasing light intensitiesFigure 3 –有光源和無(wú)光源下IV曲線示意圖。詳細(xì)內(nèi)容如下文。

無(wú)光照時(shí),染料敏化太陽(yáng)能電池的行為類似一個(gè)二極管。沒(méi)有電流產(chǎn)生,電池需要供電。

當(dāng)有光照時(shí),IV曲線明顯下移。隨著光照強(qiáng)度的增加,太陽(yáng)能電池產(chǎn)生的電流逐漸增大。

在低電壓下電流大小基本不變。電位為0時(shí),電流達(dá)到大值。隨著電壓的增大,電流逐漸減小。在開路電位下,電流為0。高于開路電位,需要有外部電壓給電池供電。電壓過(guò)大時(shí),電池就會(huì)損壞。

來(lái)源于IV曲線的參數(shù)會(huì)在下文討論。圖4是IV曲線包含參數(shù)的示意圖。

I V curve and power curve of a solar cellFigure 4 –太陽(yáng)能電池IV曲線和功率曲線的示意圖。圖中顯示了一些重要的參數(shù)。詳細(xì)內(nèi)容見下文。

短路電流

短路電流ISC是太陽(yáng)能電池的大電流。此時(shí)的電池電壓為0 V。因此產(chǎn)生的功率為0。

The short circuit current-highest current drawn from a solar cellEq. 5

短路電流隨著光照強(qiáng)度的增加而增大。

開路電位

開路電位EOC是太陽(yáng)能電池在給定光照強(qiáng)度下的大電壓。也是流經(jīng)電池的電流為0時(shí)的電壓。

open circuit potential s the highest voltage of a solar cell Eq. 6

EOC 隨著光照強(qiáng)度的增加而增大。

功率

太陽(yáng)能電池產(chǎn)生的功率P可由式7計(jì)算得出:

generated power of a solar cellEq. 7

可得到如圖4所示的計(jì)算得出的功率對(duì)施加電位圖。得到的功率曲線顯示有功率大值Pmax。

填充系數(shù)

填充系數(shù)是表征電池整體的性能一個(gè)重要參數(shù)。它描述了太陽(yáng)能電池的質(zhì)量和理想狀態(tài)。

填充系數(shù)是實(shí)際功率大值Pmax 與理論功率大值的比值。公式如下:

The Fill factor is the ratio of maximum generated power Eq. 8

EMP 和IMP 是IV曲線中在大功率值處的電位和電流。

填充系數(shù)也可由IV曲線中的矩形表示。圖5是示意圖。

The Fill factor represented in an I V curveFigure 5 – 填充系數(shù)的圖解示意圖。詳細(xì)內(nèi)容如下。

理想情況下,IV曲線是個(gè)矩形(綠色部分)。功率大值在(EOC,ISC)處,填充系數(shù)為1。

然而,非理想條件會(huì)引起寄生效應(yīng),使得大功率值減小,IV曲線變圓滑。代表大功率值的實(shí)際區(qū)域(藍(lán)色矩形)比較小。覆蓋了EMP和IMP。

注意填充系數(shù)不等于太陽(yáng)能電池的效率。

串聯(lián)和并聯(lián)電阻

之前提到過(guò),太陽(yáng)能電池的由內(nèi)電阻產(chǎn)生的寄生效應(yīng)導(dǎo)致功率降低。內(nèi)電阻可用串聯(lián)電阻和并聯(lián)電阻描述。

圖6和圖7 電阻如何影響IV曲線的形狀。

Effect of the series resistance on the shape of an I-V curveFigure 6 –串聯(lián)電阻對(duì)IV曲線形狀的影響。

串聯(lián)電阻的大小可以由開路電位附近的斜率的倒數(shù)得到(如圖6所示)。

理想情況下串聯(lián)電阻應(yīng)該為0。然而,電池的金屬接觸電阻或者溶液電阻引起額外的電壓降。因此,開路電位處的曲線斜率隨著串聯(lián)電阻值的增大而減小。因此,曲線下的面積和功率大值也逐漸減小。

注意開路電位不受串聯(lián)電阻的影響,因?yàn)殡娏鳛?。短路電流也不受串聯(lián)電阻的影響。只有很大的值才能導(dǎo)致短路電流的減小。

Effect of the shunt resistance RSH on the shape of an I V curveFigure 7 –并聯(lián)電阻對(duì)IV曲線形狀的影響。

并聯(lián)電阻可由短路電流處曲線斜率倒數(shù)得到(如圖7)。理想情況下,并聯(lián)電阻無(wú)限大,使得無(wú)需存在其他的電流途徑。并聯(lián)電阻越小,短路電流附近IV曲線斜率越大。這也導(dǎo)致開路電位減小。

并聯(lián)電阻可用并聯(lián)電阻器來(lái)模擬。主要是由電池中的雜質(zhì)或者制造過(guò)程的缺陷引起的泄露電流造成的。

小的并聯(lián)電阻會(huì)對(duì)大功率值,填充因子和功率造成消極的影響。

注意:串聯(lián)電阻和并聯(lián)電阻只能分別由開路電位和短路電流附近的斜率計(jì)算得到。

 

效率

效率η是產(chǎn)生的大功率值Pmax 和來(lái)自光源的電輸入效率的比值。

calculating light powerEq. 9

為了計(jì)算效率,需要知道入射光的功率。

注意:更多關(guān)于計(jì)算光源功率的信息,請(qǐng)參考Gamry的技術(shù)報(bào)告:Measuring the Optical Power of your LED

試驗(yàn)

以下部分討論了染料敏化太陽(yáng)能電池的各種測(cè)試方法。所有DSC附件來(lái)自Solaronix。太陽(yáng)能電池的電極式二氧化鈦和鉑。電解液是50mM溶于乙腈的一價(jià)碘和三價(jià)碘。染料是Ruthenizer 535?bisTBA。電池的有效面積是0.64 cm2。

圖8顯示了一系列IV曲線隨著光源強(qiáng)度變化(從亮到暗)的變化圖。電池的電位循環(huán)掃描區(qū)間為0V到開路電位。掃描速率為5 mV/s,以確保電池工作處于穩(wěn)定狀態(tài)。

每條曲線的紅光(625 nm)的光強(qiáng)從5.1 mW到37.2 mW逐步增強(qiáng)。只顯示了每個(gè)光強(qiáng)后向前周期。光源與電池之間的距離是3cm。

I-V curves with increasing light intensities from bright to darkFigure 8 –隨著光強(qiáng)增加(從亮到暗)一系列IV曲線。詳細(xì)內(nèi)容如下文。

正如預(yù)期的,電流隨著光強(qiáng)的增加而增大。另外,開路電位移至更高值。因此,太陽(yáng)能電池產(chǎn)生的功率也增大。圖9顯示了相應(yīng)的功率曲線。

series of power curves with increasing light intensitiesFigure 9 –隨著光強(qiáng)增加(從亮到暗)相應(yīng)的一系列功率曲線圖。

大功率值稍稍向負(fù)電流和正電位方向移動(dòng)。

下表列出了從圖8中IV和功率曲線得到的各個(gè)參數(shù)。

 

Pin [mW]

ISC [µA]

EOC [mV]

Pmax [µW]

Ptheo [µW]

FF
[%]

η
[%]

5.1

-72.0

576.7

-29.2

-41.5

0.70

0.58

14.9

-192.5

601.8

-89.9

-115.8

0.78

0.60

23.9

-295.5

615.8

-140.7

-182.0

0.77

0.59

31.5

-366.7

624.3

-179.0

-228.9

0.78

0.57

37.2

-422.3

629.8

-208.5

-266.0

0.78

0.56

Table 1 –從圖8中IV和功率曲線得到的各個(gè)參數(shù)

填充因子基本保持不變,大約為0.78。在低光強(qiáng)下較小。

效率總體上較低,大約為0.6%。就這點(diǎn)而言,注意試驗(yàn)中用到的是在狹窄波長(zhǎng)范圍的紅光。效率隨著光強(qiáng)的增加稍稍降低。

另外,可由IV曲線斜率預(yù)估得到串聯(lián)電阻和并聯(lián)電阻(圖6和圖7)。表2列出了從圖8 IV曲線計(jì)算得出的電阻值。

Pin
[mW]

RS @ EOC
[Ω]

RSH @ ISC
[kΩ]

5.1

792

41.0

14.9

413

21.2

23.9

328

17.7

31.5

260

15.2

37.2

227

13.2

Table 2 – 不同光強(qiáng)下的串聯(lián)和并聯(lián)電阻

 

結(jié)果顯示,RS 和 RSH隨著光強(qiáng)的增加而減小。低RS值趨向于增大的填充因子和效率。然而,RSH值的降低會(huì)對(duì)電池的性能產(chǎn)生消極影響。

兩種趨勢(shì)都可以解釋為電池內(nèi)部溫度的升高導(dǎo)致導(dǎo)電性的增加。以下部分解釋了溫度對(duì)DSC的影響。同時(shí)闡述了用DSC做實(shí)驗(yàn)時(shí)需要考慮到的問(wèn)題。

測(cè)試太陽(yáng)能電池時(shí)的困難

溫度的改變

溫度的改變會(huì)影響染料敏化太陽(yáng)能電池的性能。當(dāng)受到光照時(shí),太陽(yáng)能電池會(huì)升溫。這會(huì)影響電池的填充因子和效率。

因包含半導(dǎo)體材料,太陽(yáng)能電池對(duì)溫度的變化較為敏感。半導(dǎo)體的帶寬隨溫度的升高而變窄(如圖2所示)。

一方面這會(huì)導(dǎo)致導(dǎo)電性的升高。因此,短路電流會(huì)增大。另一方面,開路電位會(huì)減小。圖10解釋了這一影響。

對(duì)于這一試驗(yàn),光照射在冷的太陽(yáng)能電池上并測(cè)試了一系列IV曲線。光強(qiáng)控制在37.2 mW.

 I-V curves at different cyclesFigure 10 –不同循環(huán)下的IV曲線。圖中顯示第1,5,10,20,30,40,50,60和70次的曲線。詳細(xì)內(nèi)容如下文所述。

初始時(shí),入射光使得太陽(yáng)能電池緩慢升溫。在這一階段,短路電流和開路電位顯著漂移,Isc和Eoc附近的斜率也發(fā)生改變。

直到循環(huán)40次后,當(dāng)電池溫度穩(wěn)定,IV曲線開始重疊。

 

注意:為獲得正確的數(shù)據(jù),電池溫度穩(wěn)定是必要的。多次循環(huán)后可以確認(rèn)溫度是否穩(wěn)定。只有重疊的數(shù)據(jù)才能用來(lái)后的計(jì)算。

掃描速率

在測(cè)量IV曲線時(shí)另一個(gè)相關(guān)參數(shù)就是掃描速率。掃描速率越快,會(huì)導(dǎo)致正逆循環(huán)之間明顯的滯后現(xiàn)象(圖11所示)。

Hysteresis effect between forward and reverse cycle during an IV experimentFigure 11 – IV測(cè)試時(shí)正逆循環(huán)之間的滯后影響。

光造成電池的化學(xué)變化,引起極化,導(dǎo)致滯后現(xiàn)象的產(chǎn)生。正逆循環(huán)之間不一致導(dǎo)致數(shù)據(jù)分析越困難,也會(huì)引起錯(cuò)誤的結(jié)果。為了選用合適的掃描速率,我們建議調(diào)整掃描速率來(lái)進(jìn)行多次循環(huán)。

低掃速會(huì)帶來(lái)較長(zhǎng)的測(cè)試時(shí)間,但是會(huì)減小滯后影響。另外,低掃速可保持電池的穩(wěn)定狀態(tài)。如果IV曲線顯示較小的滯后現(xiàn)象,可以平均一下正逆循環(huán)的數(shù)據(jù)。

總結(jié)

這篇應(yīng)用報(bào)告與測(cè)試染料敏化太陽(yáng)能電池有關(guān)。討論了基本原理和設(shè)置。另外,解釋和計(jì)算了一些重要的參數(shù)。

測(cè)試真實(shí)染料敏化太陽(yáng)能電池時(shí)使用的是紅光。測(cè)得了IV曲線并轉(zhuǎn)換成功率曲線。這兩種曲線都是用來(lái)計(jì)算表征太陽(yáng)能電池性能的幾種重要的參數(shù)。

后,希望提供寶貴的建議,更好的保證可靠的測(cè)試方法和結(jié)果。

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